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还在为复杂的双路开关设计寻找一颗高效、可靠的核心？DMNH6021SPDQ-13正是您期待的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了高达8.2A的连续电流处理能力和仅25毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源管理或电机驱动方案效率倍增。

它采用紧凑的PowerDI 8表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其符合AEC-Q101的汽车级品质，更能让您轻松应对-55°C至175°C的极端温度挑战，确保产品在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的设计选择了高效、可靠与安心。

• 型号:DMNH6021SPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A，32A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMNH6021SPDQ-13，Diodes产品一站式供应商。