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还在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的MOSFET吗？DMNH6021SPDW-13正是为您而来的解决方案。它内置双N沟道，拥有60V耐压和高达32A（Tc）的电流处理能力，配合低至25毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI506封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让高频开关操作变得轻松高效。无论是用于同步整流提升适配器效率，还是作为负载开关实现智能功耗管理，它都能让您的设计性能脱颖而出，可靠性更上一层楼。

• 型号:DMNH6021SPDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
• DMNH6021SPDW-13，Diodes产品一站式供应商。