还在为空间紧张却需要强大开关性能的设计而头疼吗?DMP2120U-7正是为您量身打造的解决方案!这颗P沟道MOSFET能在仅1.8V的低电压下高效启动,轻松驾驭高达3.8A的连续电流,而其超低的62毫欧导通电阻能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。
它就像您电路中的“高效智能开关”,无论是用于电池供电设备的负载开关、电源路径管理,还是DC-DC转换器中的同步整流,都能游刃有余。其坚固的20V耐压和宽广的-55°C至150°C工作温度范围,为您提供了极高的设计自由度和可靠性保障。选择它,就是选择用一颗小巧的SOT-23封装芯片,释放出巨大的性能潜能,让您的产品脱颖而出。
- 型号:DMP2120U-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):62 毫欧 @ 4.2A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.3 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):487 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2120U-7,Diodes产品一站式供应商。