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还在寻找能同时征服高效率和严酷环境的功率开关方案吗？DMNH6035SPDWQ-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它凭借60V/33A的强劲规格和仅35毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电机驱动、电源转换应用运行得更凉、更快、更高效。

这颗芯片专为挑战而生。它满足AEC-Q101车规标准，耐受-55°C至175°C的极端温度，其PowerDI506封装在提供卓越散热能力（68W @ Tc）的同时，保持了极小的体积。选择它，意味着您为产品注入了汽车级的可靠性与工业级的耐久力，轻松应对各种复杂应用场景，大幅提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:DMNH6035SPDWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:879pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.4W（Ta），68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
• DMNH6035SPDWQ-13，Diodes产品一站式供应商。