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您正在为寻找一颗既能节省空间又能提升能效的负载开关而烦恼吗？DMP22D4UFO-7B正是为您量身打造的解决方案。这颗P沟道MOSFET采用先进的X2-DFN0604-3超小型封装，让您轻松实现电路板布局的极致紧凑化，同时其20V的漏源电压和530mA的连续电流能力，足以稳健驱动各种便携式设备中的关键模块。

它的核心价值在于“高效”与“易用”。凭借低至1.9欧姆的导通电阻和仅需0.4nC的栅极电荷，它能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其宽泛的驱动电压范围（1.5V-4.5V）可与绝大多数微控制器无缝对接，让您的设计工作变得异常轻松，快速完成高效的电源路径管理。

• 型号:DMP22D4UFO-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0604-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):530mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.7 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0604-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP22D4UFO-7B，Diodes产品一站式供应商。