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还在为电源管理电路的效率和尺寸发愁吗？DMP1007UCB9-7正是为您量身打造的解决方案。这颗高性能P沟道MOSFET，能轻松胜任高达13.2A的电流开关任务，其核心魅力在于极低的导通损耗在4.5V驱动下，导通电阻仅5.7毫欧，让您的系统运行更凉爽、能效更出色。

它采用超紧凑的U-WLB1515-9封装，完美适配空间受限的现代电子产品，如智能手机、平板电脑和超薄笔记本。凭借其快速的开关特性和宽泛的工作温度范围，它能确保您的电源路径管理、负载开关或电池保护电路既高效又可靠。选择它，就是选择让您的设计更精简、性能更强劲、产品更具市场吸引力。

• 型号:DMP1007UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9（C 类）
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
• DMP1007UCB9-7，Diodes产品一站式供应商。