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您是否正在寻找一颗能大幅提升12V系统电源效率的“关键开关”？DMP1011LFV-7 P沟道MOSFET就是为您而来的高效解决方案。它能轻松承载高达19A的连续电流，并以低至11.7毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片的核心使命，就是让您的开关控制变得既快速又干净。其极低的栅极电荷确保了迅猛的开关响应，有效降低开关损耗，提升整体能效。无论是用于便携设备的负载管理，还是电源模块的功率路径控制，DMP1011LFV-7都能以紧凑的PowerDI3333封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时提供从-55°C到150°C的稳定工作保障，助您轻松应对各种设计挑战。

• 型号:DMP1011LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.7 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 6 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:913 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.16W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP1011LFV-7，Diodes产品一站式供应商。