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DMP1012USS-13 零件图片(仅供参考)

DMP1012USS-13
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DMP1012USS-13 规格参数

还在为低压大电流电路中的开关损耗和发热问题头疼吗?让DMP1012USS-13来为您分忧!这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET,拥有高达8.5A的连续负载能力和8V-24V的宽电压适应范围,专为 demanding 应用而生。

它能让您的电源转换或电机驱动设计变得前所未有的高效与紧凑。其优异的性能参数意味着更低的导通电阻和更快的开关速度,从而显著减少能量损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是升级现有产品还是开发全新项目,选择DMP1012USS-13,就是选择了一条通往更高性能与可靠性的捷径。

  • 型号:DMP1012USS-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T\\u0026R 2.
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 9A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1344 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.3W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
  • DMP1012USS-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMP1012USS-13 基本参数:

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