我们为全球各个行业提供Diodes DMP1022UFDEQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间受限的汽车电子项目寻找一颗既强效又可靠的电源开关吗？DMP1022UFDEQ-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET能在12V电压下提供高达9.1A的连续电流输出，而其导通电阻低至惊人的16毫欧，这意味着它能大幅减少导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接提升整体能效和可靠性。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端气候下依然稳定工作。采用紧凑的U-DFN2020-6封装，为您节省宝贵的PCB空间。同时，其优化的栅极电荷特性让驱动变得异常轻松，配合合适的驱动电压，可实现快速、干净的开关动作。无论是用于负载开关、电机控制还是电源路径管理，DMP1022UFDEQ-7都能让您轻松构建出高性能、高可靠性的汽车电子系统，加速您的产品上市进程。

• 型号:DMP1022UFDEQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2953 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP1022UFDEQ-7，Diodes产品一站式供应商。