我们为全球各个行业提供Diodes DMP1022UFDF-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的PCB板上寻找一颗强力的“电源开关”而发愁吗？DMP1022UFDF-13正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET就像一个高效、听话的电力守门员，能在您12V的系统中，轻松承载高达9.5A的电流，并以极低的导通损耗（仅14.8毫欧）确保电力传输畅通无阻，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为简化您的设计而生。其特性让您无需复杂的驱动电路，就能实现快速、干净的开关动作。无论是用于电池保护、电源路径管理，还是电机控制等场景，它都能让您以更少的元器件、更高的可靠性完成任务。选择它，就是选择了一份让产品性能升级、开发更高效的安心保障。

• 型号:DMP1022UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.8 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2712 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP1022UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。