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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？ZXMN6A09GTA正是为您而来的解决方案。这颗60V/5.4A的N沟道MOSFET，凭借其低至40毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它采用紧凑的SOT-223封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优化的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），让您能轻松应对各种复杂环境与设计挑战，大幅提升终端产品的稳定性和竞争力。

• 型号:ZXMN6A09GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 8.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.2 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1407 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A09GTA，Diodes产品一站式供应商。