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还在为复杂的负载开关和电源路径管理寻找简洁高效的解决方案吗？DMP1045UQ-7 P沟道MOSFET就是您期待的答案。它能让您轻松实现高效的电源开关与信号切换，其低至31毫欧的导通电阻和高达4A的电流能力，意味着更低的导通损耗和更高的系统效率，直接为您的设备带来更长的运行时间或更小的散热压力。

这颗芯片采用紧凑的SOT-23封装，非常适合空间受限的便携式设备和模块化设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现，让您的产品设计更具鲁棒性。无论是用于电池供电设备的负载开关、电源反接保护，还是作为信号电平转换的关键部件，DMP1045UQ-7都能以出色的性能，简化您的电路，提升整体可靠性。

• 型号:DMP1045UQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T\\u0026R 3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1357 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP1045UQ-7，Diodes产品一站式供应商。