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还在寻找一颗能兼顾性能与尺寸的功率开关芯片吗？ZXMN10B08E6TC正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和1.6A的连续电流能力，让您能在紧凑的SOT-26封装内，轻松驾驭各种中等功率的开关与控制任务。

它的优势在于高效与易用。仅需4.3V的低驱动电压即可开启，最大导通电阻低至230毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，直接提升您的系统能效。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，让您的电路响应更加敏捷。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，ZXMN10B08E6TC都能帮助您简化设计，实现更稳定、更高效的产品性能。

• 型号:ZXMN10B08E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:497 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN10B08E6TC，Diodes产品一站式供应商。