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还在为电源开关的效率与尺寸烦恼吗？DMP10H400SEQ-13 P沟道MOSFET就是您的高效答案。它能轻松担当您系统中关键的开关角色，凭借100V的耐压和高达6A的连续电流承载能力，确保功率路径安全可靠地通断。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其低至250毫欧的导通电阻大幅减少了功率损耗，而快速的开关特性（栅极电荷仅17.5nC）则提升了整体响应速度与能效。无论是用于负载开关、电池保护还是电机控制，它都能在紧凑的SOT-223封装内提供稳定的性能，助您打造更节能、更可靠的产品。

• 型号:DMP10H400SEQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），13.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP10H400SEQ-13，Diodes产品一站式供应商。