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您是否正在为空间有限的电路设计寻找高效的电源开关解决方案？DMP2004VK-7正是为您而来！这颗双P沟道MOSFET阵列芯片，集成了两个逻辑电平门控的MOSFET，让您能够轻松实现负载切换、电源隔离等关键功能，极大地简化了您的电路布局。

凭借其20V的耐压和530mA的持续电流能力，配合低至900毫欧的导通电阻，它能确保高效的能量传输，显著减少功率损耗，从而延长便携式设备的电池续航。超小的SOT-563封装，为您节省宝贵的PCB空间，让产品设计更加紧凑精巧。选择它，就是选择了一条通往高效、可靠产品设计的捷径。

• 型号:DMP2004VK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):530mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175pF @ 16V
• 功率 - 最大值:400mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMP2004VK-7，Diodes产品一站式供应商。