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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMN31D5L-13正是为您排忧解难的得力助手。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，能在30V的电压环境下，高效、可靠地控制高达500mA的电流通断。其核心魅力在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著减少开关损耗和驱动功耗，让您的便携设备续航更久，响应更快。

它采用超紧凑的SOT-23表面贴装封装，能轻松融入任何对空间有严苛要求的设计中，无论是智能手环、蓝牙耳机还是各类传感器模块。优异的电气参数，如低至1.6V的阈值电压和宽广的工作温度范围，让您能轻松应对复杂的应用环境，实现稳定高效的能量控制。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“能量心脏”。

• 型号:DMN31D5L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN31D5L-13，Diodes产品一站式供应商。