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还在为电源路径中的功率损耗和散热问题头疼吗？DMP2006UFG-13这颗高性能P沟道MOSFET，就是为您量身定制的效率提升解决方案。它能轻松承载高达17.5A的大电流，同时凭借低至5.5毫欧的导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，直接帮助您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能让您在设计负载开关、电池反接保护或同步整流电路时更加得心应手。其优化的栅极电荷和快速的开关特性，确保了高效、瞬态响应优异的功率控制。采用坚固的PowerDI3333-8封装，兼顾了卓越的散热性能与紧凑的板级空间占用，让您轻松实现高功率密度与高可靠性的完美平衡。

• 型号:DMP2006UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2006UFG-13，Diodes产品一站式供应商。