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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高电流和紧凑尺寸的P沟道MOSFET吗？DMP2008UFG-13正是为您的高要求应用而生。它能让您的电源路径管理变得前所未有的轻松，凭借仅8毫欧的超低导通电阻，大幅削减开关损耗与发热，直接提升系统能效与可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、强健的“电子开关”。在负载开关、电机控制或DC-DC转换器中，它能轻松承载高达54A（Tc）的连续电流，实现快速、干净的功率通断。其优化的栅极驱动特性让您的控制电路设计更简单，而PowerDI3333-8微型封装则为您节省宝贵的电路板空间，助力打造更轻薄、更集成的终端产品。

无论是应对-55°C的严寒还是150°C的结温挑战，它都能稳定工作，确保您的设备在各种环境下持久运行。选择DMP2008UFG-13，就是选择了一个让设计更高效、让产品更具竞争力的强大内核。

• 型号:DMP2008UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6909 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2008UFG-13，Diodes产品一站式供应商。