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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2008UFG-7专为解决此类挑战而生。它能让您在紧凑的PowerDI3333-8封装内，轻松获得高达54A（Tc）的强劲电流处理能力，同时极低的导通电阻显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片具备1.5V的低阈值驱动电压，让您的驱动电路设计更为简化。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机控制，其优异的开关性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都能确保稳定可靠的运行。选择DMP2008UFG-7，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的能量控制核心，助您轻松实现更卓越的电源系统设计。

• 型号:DMP2008UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6909 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2008UFG-7，Diodes产品一站式供应商。