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还在为紧凑型设计中的电源开关选型而烦恼吗？DMP2012SN-7这颗P沟道MOSFET，就是为您量身打造的解决方案。它能以高达20V的耐压和700mA的电流处理能力，让您轻松实现高效的负载开关和电源管理，显著提升系统的能效与可靠性。

这颗芯片的核心价值在于其极致的空间利用。采用超小型的SC59-3封装，它能帮助您最大限度地节省宝贵的PCB面积，为产品实现更轻薄、更精巧的设计铺平道路。无论是用于便携设备的电源路径控制，还是模块的使能开关，它都能以稳定的性能和较低的导通电阻，确保能量传输精准无误。

选择DMP2012SN-7，意味着您选择了一款经过实践检验的经典器件。它能简化您的设计流程，降低系统复杂度，让您更专注于产品核心功能的创新与优化，最终打造出更具市场竞争力的出色产品。

• 型号:DMP2012SN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:300 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:178.5 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2012SN-7，Diodes产品一站式供应商。