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您是否希望为您的设计找到一颗既能“大力出奇迹”又能“身轻如燕”的功率开关？DMP2021UFDE-13正是这样一位全能选手。它是一颗P沟道MOSFET，能轻松驾驭高达11.1A的连续电流，而其超低的导通电阻（最低仅16毫欧）能显著减少功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更长的电池寿命。

这颗芯片采用极其紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，让您能在寸土寸金的PCB板上实现高功率密度的布局，特别适合空间受限的便携式电子产品。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和稳健的电气特性，确保您的产品在各种环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是选择了一种高效、省心且面向未来的电源管理解决方案。

• 型号:DMP2021UFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP2021UFDE-13，Diodes产品一站式供应商。