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DMP2021UTSQ-13 零件图片(仅供参考)

DMP2021UTSQ-13
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DMP2021UTSQ-13 规格参数

还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的MOSFET吗?DMP2021UTSQ-13正是为您而来的解决方案。它拥有8V至24V的漏源电压范围,并能提供高达18A(Tc)的强劲电流输出,让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更强劲。

这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松驾驭高功率密度设计,其紧凑的TSSOP-8封装为您节省每一寸宝贵的电路板空间,同时卓越的电气性能确保系统稳定可靠。无论是提升能效还是优化布局,DMP2021UTSQ-13都是您实现设计目标的得力助手。

  • 型号:DMP2021UTSQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T\\u0026R
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A(Ta),18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):59 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2760 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.3W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
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DMP2021UTSQ-13 基本参数:

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