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还在为空间有限的PCB板寻找一颗强效的“能量开关”吗？DMP2023UFDF-13正是您理想的答案。这颗由Diodes Incorporated推出的P沟道MOSFET，集20V耐压与7.6A大电流承载能力于一身，其核心魅力在于超低的27毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更长的运行时间。

它能让您的设计事半功倍。优异的开关特性配合低栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，有效抑制噪声干扰。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和紧凑的U-DFN2020-6封装，让您的产品既能应对严苛环境，又能轻松实现高密度布局。选择DMP2023UFDF-13，就是选择为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:DMP2023UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1837 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2023UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。