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还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMP2033UVT-7就是为您量身打造的解决方案。它能在20V电压、4.2A电流下稳定工作，凭借低至65毫欧的导通电阻，大幅降低开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统整体能效，让电池续航更持久。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，拥有极低的栅极电荷和输入电容，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快。其坚固的TSOT-26封装不仅节省电路板空间，更能适应从-55°C到150°C的严苛环境温度。选择它，就是为您的便携设备、电源管理模块选择了一颗可靠、高效的心脏，轻松实现性能与成本的完美平衡。

• 型号:DMP2033UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2033UVT-7，Diodes产品一站式供应商。