您正在寻找一颗既能承载大电流,又足够小巧高效的功率开关吗?DMP2035UVTQ-13正是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和7.2A的强大电流处理能力,而其导通电阻低至惊人的35毫欧,能极大程度地减少导通损耗,直接提升您的系统整体能效。
它专为空间受限的高性能应用而优化。采用超小的TSOT-26封装,却能轻松应对汽车电子、便携设备等领域的严苛要求。低至1.8V的驱动电压让您可以直接用MCU驱动,简化设计;优异的开关特性(Qg仅23.1nC)确保高速切换下的低损耗。选择它,就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。
- 型号:DMP2035UVTQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 4A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23.1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2400 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TSOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- DMP2035UVTQ-13,Diodes产品一站式供应商。