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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持稳定可靠的P沟道MOSFET？DMP2038USS-13正是您的理想之选。它凭借38毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能轻松应对高达6.5A的连续电流和20V的电压，确保在负载开关、电源路径管理和DC-DC转换等应用中游刃有余。其优化的栅极电荷特性，让开关速度更快、效率更高，助您轻松实现更紧凑、更高效的设计方案。

• 型号:DMP2038USS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1496 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP2038USS-13，Diodes产品一站式供应商。