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还在为电路板空间紧张和功耗优化而头疼吗？DMP2060UFDB-7双P沟道MOSFET阵列就是为您排忧解难的智能开关。它集两个20V/3.2A的MOSFET于一身，采用微型6-UDFN封装，让您轻松实现高密度布局，为产品瘦身注入强大动力。

这颗芯片的核心使命是让您的系统运行更高效、更凉爽。其低至90毫欧的导通电阻显著降低了开关过程中的功率损耗，直接转化为更长的电池续航和更少的热管理负担。无论是用于便携设备的负载切换、电源分配，还是电机驱动中的控制回路，它都能以出色的能效和可靠性，确保您的设计性能稳定发挥。

选择DMP2060UFDB-7，就是选择了一种更简洁、更可靠的设计方案。它简化了您的物料清单（BML），提升了生产一致性，并凭借宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）应对各种环境挑战。让它成为您下一代创新产品中默默奉献的“能量管家”吧！

• 型号:DMP2060UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:881pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMP2060UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。