还在寻找能同时满足高性能与小尺寸的MOSFET解决方案吗?DMP2065UFDB-13正是为您量身打造的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列,能在极致紧凑的UDFN2020-6封装内,为您提供高达4.5A的强劲电流处理能力。
它能让您的设计轻松实现高效节能。其低至50毫欧的导通电阻,显著减少了功率损耗和发热,让系统运行更凉爽、续航更持久。同时,优异的开关特性确保了快速响应,无论是用于电源切换还是负载控制,都能让您的产品性能脱颖而出。
- 型号:DMP2065UFDB-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(B 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 2A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):752pF @ 15V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(B 类)
- DMP2065UFDB-13,Diodes产品一站式供应商。