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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2066LSS-13正是为您量身打造的解决方案。它集成了20V耐压和6.5A连续电流能力于微小的8-SOP封装内，让您在设计高密度电路板时游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。仅需2.5V至4.5V的低驱动电压，即可实现超低的导通电阻（典型值仅40毫欧@5.8A），大幅降低开关过程中的功率损耗。这意味着它能帮助您的设备，无论是便携式电子产品还是工业电源模块，运行得更“冷静”，电池续航更持久，整体能效显著提升。

此外，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和稳健的电气特性，确保了在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择DMP2066LSS-13，就是为您的产品选择了一颗高效、紧凑且值得信赖的“功率开关”，让您的设计轻松实现高性能与小体积的完美统一。

• 型号:DMP2066LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 5.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP2066LSS-13，Diodes产品一站式供应商。