还在为您的便携设备寻找一颗高效、小巧的电源管理“心脏”吗?DMP2078LCA3-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现高效的负载开关与电源路径控制,其78毫欧的超低导通电阻和3.4A的电流能力,让您的设备运行更省电、动力更充沛。
它采用极致的X4-DSN1006-3封装,几乎不占用宝贵的电路板空间,让您的设计可以更加紧凑、灵活。无论是智能手机、TWS耳机还是IoT传感器,DMP2078LCA3-7都能以卓越的能效和可靠性,助您打造出更轻薄、续航更持久的下一代产品。
- 型号:DMP2078LCA3-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X4-DSN1006-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):78 毫欧 @ 500mA,8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1.6 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):-12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):228 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):810mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:X4-DSN1006-3
- 封装/外壳:3-XFDFN
- DMP2078LCA3-7,Diodes产品一站式供应商。