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还在为复杂的功率开关设计头疼吗？让ZXMN2A05N8TA来简化您的工作！这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，拥有20V的耐压和高达12A的电流处理能力，是您实现高效、紧凑电源方案的理想选择。

它采用小巧的8-SOIC表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的设计中。其优异的性能让您能够轻松驾驭DC-DC转换、电机控制或负载开关等应用，显著降低导通损耗，提升系统整体效率与可靠性，助您的产品在市场中脱颖而出。

• 制造商产品型号：ZXMN2A05N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• ZXMN2A05N8TA，Diodes产品一站式供应商。