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还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMP210DUFB4-7这颗P沟道MOSFET就是您的理想解决方案。它采用先进的3DFN超微型封装，能轻松集成到最紧凑的可穿戴设备、IoT模块或便携式电子产品中，为您节省每一寸宝贵的电路板空间。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、可靠的能量开关。凭借20V的耐压和200mA的电流能力，配合低至5欧姆的导通电阻，它能让您轻松管理电池供电设备的电源路径，实现高效的能量分配与开关控制，显著提升系统能效。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，更能确保您的产品在各种严苛环境下稳定运行，让设计无后顾之忧。

• 型号:DMP210DUFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP210DUFB4-7，Diodes产品一站式供应商。