还在为空间有限的电路板寻找一颗强劲又高效的“心脏”吗?DMP2110U-7 P沟道MOSFET就是为您而来的解决方案。它能轻松胜任负载开关、电源管理等核心任务,让您的便携设备续航更持久,运行更冷静。
这颗芯片能为您做什么?它拥有20V的耐压和3.5A的电流承载能力,配合低至80毫欧的导通电阻,能显著降低功率损耗,提升整体能效。其SOT-23微型封装为您节省每一毫米的板级空间,而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的可靠表现。选择它,就是选择了一种高效、紧凑且可靠的设计路径。
- 型号:DMP2110U-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):80 毫欧 @ 2.8A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):443 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2110U-7,Diodes产品一站式供应商。