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还在为复杂的电源开关设计而头疼吗？DMP2130L-7正是为您简化这一切的利器。这颗P沟道MOSFET能让您轻松实现高效的负载切换与电源路径管理，其仅75毫欧的低导通电阻（在3.5A, 4.5V条件下）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接提升您终端产品的续航与可靠性。

它专为空间紧凑型设计而生，采用微型SOT-23-3封装，却拥有3A的连续电流处理能力和20V的漏源电压，完美适配电池供电设备、便携式电子产品及各种需要高效功率控制的场景。更低的栅极阈值电压和驱动需求，让您能更灵活地搭配主控芯片，简化驱动电路设计，从而加速您的产品上市进程。

• 型号:DMP2130L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2130L-7，Diodes产品一站式供应商。