还在为复杂的功率控制电路而烦恼吗?让DMP6350SQ-7来简化您的工作!这颗P沟道MOSFET是您实现高效、可靠电源管理的秘密武器。它能轻松处理高达60V的电压和1.5A的连续电流,凭借其低至350毫欧的导通电阻,显著减少功率损耗,让您的系统运行更凉爽、能效更高。
更令人惊喜的是,它采用微小的SOT-23封装,却能承受-55°C至150°C的极端温度,完全符合汽车级AEC-Q101标准。这意味着您可以在车载充电器、LED驱动或各类控制模块中放心使用,确保产品在任何环境下都稳定如一。其优化的开关特性(栅极电荷仅4.1nC)让您能设计出响应更快、干扰更小的电路,从而全面提升最终产品的性能和可靠性。
- 型号:DMP6350SQ-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 900mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):206 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):720mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP6350SQ-7,Diodes产品一站式供应商。