还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗?DMP2170U-7就是您的理想之选。这颗芯片能为您做什么?它就像一个高效、敏捷的电源开关,让您轻松管理高达3.1A的电流,同时将导通损耗降至最低,显著提升设备的能效与续航。
得益于其仅90毫欧的低导通电阻和优化的动态参数,它能让您的系统开关动作更快、发热更少,运行更稳定可靠。无论是用于便携设备的负载开关,还是汽车电子中的电源控制,它都能完美胜任,助您打造出更紧凑、更高效、更具竞争力的产品。
- 型号:DMP2170U-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 3.5A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7.8 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):303 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):780mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2170U-7,Diodes产品一站式供应商。