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您正在设计需要精密电源控制的便携设备吗？DMP21D0UFD-7正是为您而来的高效P沟道MOSFET。它能在仅1.5V的低电压下轻松开启，完美适配3.3V/5V逻辑系统，让您的负载开关、电源隔离设计变得无比简单。

这颗芯片能为您做什么？它凭借高达820mA的电流承载能力和20V的耐压，成为电池供电设备中理想的“电力守门员”。其超低的495毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，提升整机效率，同时微小的封装尺寸为您节省宝贵的PCB空间。选择它，就是选择了一条通往更高能效、更紧凑设计的捷径。

• 型号:DMP21D0UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 800mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMP21D0UFD-7，Diodes产品一站式供应商。