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还在为电源路径控制或电机驱动的效率瓶颈而头疼吗？DMP3010LK3Q-13正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电力守门员”，能在您需要时瞬间开启大电流通道（连续电流高达17A），并以极低的自身损耗（导通电阻仅8毫欧）让能量几乎无损通过，从而大幅降低系统发热，提升整体能效。

它让您的设计工作变得异常轻松。仅需4.5V的电压即可高效驱动，显著简化了前级电路；TO-252封装兼顾了强大的散热能力与紧凑的板级空间占用。无论是构建高效的负载开关、电机驱动器还是电池保护电路，DMP3010LK3Q-13都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品在各种环境下都动力十足，运行可靠。

• 型号:DMP3010LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 17A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6234 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMP3010LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。