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还在为您的紧凑型设计寻找一颗“小身材、大能量”的电源开关吗？DMP21D0UT-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V耐压和590mA的持续电流能力，能以低至495毫欧的导通电阻高效工作，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为空间受限的现代电子产品优化。超小的SOT-523封装为您节省每一寸宝贵的PCB面积，而1.8V的低驱动电压让它可以轻松被微控制器直接驱动，简化您的电路设计。无论是用于负载开关、电源隔离还是信号切换，它都能让您实现高效、可靠的控制。

更宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对各种环境挑战的 robustness。选择DMP21D0UT-7，就是为您的便携设备、可穿戴产品或物联网节点注入一颗高效而强健的“心脏”，轻松提升整体性能与可靠性。

• 型号:DMP21D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):590mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（典型值）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.54 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMP21D0UT-7，Diodes产品一站式供应商。