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您是否正在寻找一颗既能节省宝贵电路板空间，又能提供出色开关性能的MOSFET？DMP21D6UFD-7正是为您量身打造的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的P沟道MOSFET，采用先进的3DFN超小型封装，让您在设计智能手机、TWS耳机、便携设备时，能轻松实现更紧凑的布局。

它能在低至1.2V的电压下高效驱动，导通电阻低至1欧姆，确保600mA电流顺畅通过的同时，将功率损耗降至最低，显著提升系统能效。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的设备反应更迅捷，续航更持久。其宽泛的工作温度范围和20V的耐压能力，更为您的产品提供了坚实的可靠性保障。

• 型号:DMP21D6UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMP21D6UFD-7，Diodes产品一站式供应商。