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DMTH4005SK3-13 零件图片(仅供参考)

DMTH4005SK3-13
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DMTH4005SK3-13 规格参数

还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的MOSFET而费神吗?DMTH4005SK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达95A的连续电流,并以低至4.5毫欧的导通电阻,显著降低您在电源转换、电机控制等应用中的导通损耗,直接提升系统整体效率,让您的产品运行更凉爽、更节能。

它拥有40V的耐压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围,确保在各种复杂电气环境和温度条件下稳定工作。其优化的开关特性(如低栅极电荷)让您能设计出响应更快的驱动电路。采用坚固的TO-252表面贴装封装,它不仅节省空间,更提供了卓越的散热性能,让您能轻松应对高功率密度设计的挑战,是实现高效、紧凑且可靠电源方案的强大基石。

  • 型号:DMTH4005SK3-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 95A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):49.1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3062 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • DMTH4005SK3-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMTH4005SK3-13 基本参数:

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