您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、让设计更简洁的P沟道MOSFET?DMP3007LSS-13正是您期待的答案。它专为高效电源管理和功率开关应用而生,其卓越的低导通电阻(仅7毫欧)能让您在处理高达14A电流时,显著降低传导损耗,从而提升整体能效,让您的设备运行更凉爽、更节能。
这颗芯片能为您做什么?它让您轻松实现高效的DC-DC转换、电机控制和负载开关。优化的开关特性帮助您减少开关损耗,而坚固的设计确保在-55°C到150°C的严苛环境下稳定工作。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。
- 型号:DMP3007LSS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T\\u0026R 2
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 17A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):64.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2826 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SO
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
- DMP3007LSS-13,Diodes产品一站式供应商。