我们为全球各个行业提供Diodes DMG8822UTS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时提升效率、节省空间并保证可靠性的双MOSFET解决方案？DMG8822UTS-13正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其低至25毫欧的导通电阻和4.9A的连续电流能力，能让您的电源开关或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效，显著降低系统功耗。

它专为要求严苛的汽车电子（AEC-Q101认证）和高可靠性应用设计，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定如一。采用节省空间的8-TSSOP封装，让您轻松实现高功率密度的小型化设计，是提升产品市场竞争力的理想选择。

• 型号:DMG8822UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:841pF @ 10V
• 功率 - 最大值:870mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• DMG8822UTS-13，Diodes产品一站式供应商。