我们为全球各个行业提供Diodes DMP3007SFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能在大电流应用中同时兼顾高效率与高可靠性的P沟道MOSFET？DMP3007SFG-13正是为您而来。它凭借30V耐压、70A连续电流承载能力以及低至6毫欧的导通电阻，让您的电源转换、电机控制或负载开关设计轻松实现更低的传导损耗和更高的功率密度。

这颗采用先进PowerDI3333封装的芯片，不仅提供了出色的热性能（支持2.8W功耗），其优化的栅极特性（64.2nC Qg）更能让您实现高效快速的开关控制。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保它在各种严峻环境下稳定运行，是提升产品可靠性和能效表现的理想选择。

• 型号:DMP3007SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3007SFG-13，Diodes产品一站式供应商。