我们为全球各个行业提供Diodes DMP3010LPSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持设计简洁的功率开关解决方案？DMP3010LPSQ-13正是为您而来。这颗由Diodes Incorporated推出的30V/36A P沟道MOSFET，凭借其惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能显著降低您在开关和传导过程中的功率损耗，直接转化为更少的发热和更高的整体能效，让您的产品在竞争中脱颖而出。

它能让您轻松驾驭电机驱动、DC-DC转换和负载开关等高要求应用。其优化的栅极特性（低至2.1V的阈值电压和126.2nC的栅极电荷）意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、高效的开关控制，从而简化设计、节省空间与成本。采用坚固的PowerDI5060-8封装，确保了出色的散热性能和可靠性，即使在-55°C到150°C的严苛温度范围内也能稳定工作。

• 型号:DMP3010LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6234 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.18W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP3010LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。