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还在寻找那颗能兼顾大电流与高效率的P沟道MOSFET吗？DMP3017SFGQ-13正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达11.5A的连续电流，同时凭借低至10毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、可靠的智能电源开关。其4.5V的低驱动电压让它在电池应用中启动更轻松，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种环境下都能稳定运行。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它能帮您最大化节省电路板空间，让产品设计更精巧、更富竞争力。

• 型号:DMP3017SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3017SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。