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您正在寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET吗？ZXMN10A11K正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和2.4A的连续电流能力，其核心魅力在于仅350毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用经典的TO-252-3表面贴装封装，易于焊接和散热，非常适合空间受限的现代电子设计。高达±20V的栅极耐压和极低的栅极电荷，让您的驱动电路设计更简单、响应更迅速。无论是升级现有产品还是开发新项目，ZXMN10A11K都能以卓越的电气性能和可靠性，助您一臂之力。

• 型号:ZXMN10A11K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN10A11K，Diodes产品一站式供应商。