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还在为寻找一款能兼顾高功率与高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3017SFV-13正是您期待的答案。它能为您轻松驾驭高达40A的连续电流，凭借仅10毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的能量损耗与热量产生，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更冷静、更持久。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大3V，Qg仅41nC）让您能够实现快速、高效的开关控制，显著提升系统整体能效。无论是用于负载开关、电池保护还是电机控制，DMP3017SFV-13都能让您的设计更紧凑、性能更强劲、运行更可靠。

• 制造商产品型号：DMP3017SFV-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：41nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2246pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：31W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerDI3333-8
• DMP3017SFV-13，Diodes产品一站式供应商。