我们为全球各个行业提供Diodes DMP3018SFVQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要高效电源切换或电机控制的方案吗？DMP3018SFVQ-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，能轻松担当起系统“能量闸门”的重任，以高达11A（Ta）的连续电流和仅12毫欧的超低导通电阻，让您的设备能量传输更顺畅、损耗更低，显著提升整体能效。

它不仅仅高效，更无比可靠。拥有汽车级AEC-Q101认证，适应-55°C到150°C的极端温度范围，确保在汽车电子、工业设备等关键应用中稳定运行，让您无惧环境挑战。采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，还能帮您节省宝贵的电路板空间，实现更紧凑、更优雅的设计。

• 型号:DMP3018SFVQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2147 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3018SFVQ-7，Diodes产品一站式供应商。