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还在为电源路径上的效率损失和空间占用而烦恼吗？DMP3028LFDE-13 P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它凭借仅32毫欧的低导通电阻和22nC的低栅极电荷，能显著降低系统的导通与开关损耗，直接将更高的能效和更低的发热量带给您的产品。

这颗芯片能让您轻松驾驭高达6.8A的电流切换任务，30V的耐压确保其在多种电源场景下稳定工作。采用小巧的U-DFN2020-6封装，为您节省宝贵的电路板空间，非常适用于追求轻薄短小的现代电子设备。无论是提升便携设备的续航，还是优化电机控制的响应，它都能助您一臂之力。

选择它，意味着您选择了一个经过验证的可靠伙伴。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，保障了产品在苛刻环境下的持久耐力。让DMP3028LFDE-13成为您下一个设计中的高效开关，简化设计，提升性能！

• 型号:DMP3028LFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1241 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP3028LFDE-13，Diodes产品一站式供应商。